| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
像素陣列
昊量光電推出的Luxium 像素陣列（Pixellated Arrays）是面向輻射探測(cè)的線性 / 二維閃爍晶體陣列，核心優(yōu)勢(shì)在于低串?dāng)_、高像素一致性與材料適配靈活性，適配 PET/CT、工業(yè)安檢、核醫(yī)學(xué)成像等高精度輻射探測(cè)場(chǎng)景，可與 SiPM/PMT/光電二極管無(wú)縫集成。
可以提供像素化陣列組件，其中包括諸如 LYSO、CdW04、CsI(Tl) 和 BGO 之類(lèi)的晶體，或者諸如發(fā)光塑料之類(lèi)的其他材料。提供多種設(shè)計(jì)選項(xiàng)和反射材料，以?xún)?yōu)化陣列性能，滿足您的應(yīng)用需求。
二維閃爍晶體陣列（像素陣列）核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
低串?dāng)_光學(xué)設(shè)計(jì)：采用復(fù)合反射層（金屬 + 白色環(huán)氧）與精準(zhǔn)像素分割工藝，像素間串?dāng)_ < 5%，確保多像素同步探測(cè)時(shí)的信號(hào)獨(dú)立性。
高一致性制造工藝：晶體切割與研磨精度達(dá) ±0.01mm，像素間光輸出均勻性 ±10%，批次間一致性 ±10%，適配大規(guī)模陣列拼接應(yīng)用。
材料適配靈活性：支持 CsI (Tl)、LYSO、BGO、CdWO?等主流閃爍晶體，可根據(jù)探測(cè)能量（keV-MeV）、衰減時(shí)間（36ns-14μs）與余暉特性選擇蕞優(yōu)材料。
環(huán)境適配：晶體陣列可封裝為 IP68 防護(hù)等級(jí)，耐受 - 40℃~+85℃溫度范圍，適配石油測(cè)井、航空航天等惡劣工況。
在像素尺寸、像素?cái)?shù)量、像素間隔材料（包括反射材料和/或輻射屏障材料）以及晶體表面處理方式等方面，有多種設(shè)計(jì)選擇可供選擇。
線性陣列組件：（單行像素）——線性陣列組件通常與像素化光電二極管配合使用，常用于安全類(lèi)應(yīng)用中，常見(jiàn)的是行李掃描儀、貨物檢查以及其他非破壞性檢測(cè)。在醫(yī)療應(yīng)用中，諸如 LYSO 這樣的晶體則用于骨礦物質(zhì)密度測(cè)定儀中。
二維陣列組件（以 X-Y 矩陣形式排列的像素）——二維陣列通常與像素化光電二極管、位置敏感光電倍增管（PSPMT）和硅光電倍增管（SiPM）配合使用，其蕞常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域是醫(yī)療成像掃描儀（PET、SPECT、CT）、無(wú)損檢測(cè)與檢查。
二維閃爍晶體陣列（像素陣列）可用像素尺寸：
| Minimum Discrete Pixel Sizes Available in Crystal Scintillators | |||
| Material | Minimum Pixel Sizes* | Comments | |
| Linear (mm) | 2D (mm) | ||
| CsI(Tl) | 0.3 | 0.5 | |
| CdWO4 | 0.3 | 1.0 | Cleavage Plane |
| BGO | 0.3 | 0.3 | |
| LYSO | 0.8 | 0.8 | Min. Untested |
| *Guidelines, not hard numbers | |||
分隔器/反射器：
像素的幾何形狀、反射器的厚度、所使用的閃爍體材料以及其他因素都會(huì)影響每個(gè)陣列設(shè)計(jì)所獲得的反射率。陣列反射器材料按反射率從高到低的順序排列。
| Separator Types and Thicknesses in Order of Decreasing Reflectivity | ||
| Material | Thickness Range | Approximate Relative Reflectivity |
| White Powder (e.g. TiO2, MgO) | 0.25 mm and up | 100% |
| Teflon Sheet | 0.15 mm - 0.50 mm | 98% |
| White Reflector Paint | 0.04 mm - 0.10 mm | 96% |
| White Plastic | 0.05 mm and up | 95% |
| White Epoxy | 0.10 mm - 0.75 mm | 94% |
| Composites | 0.10 mm and up | 94% |
| Aluminum/Epoxy | 0.05 mm - 0-.1 mm | 75% |
| Metals (Pb, Ta) / Epoxy | 0.05 mm and up | 65% |
陣列閃爍體特性：
| Material | CsI(Tl) | CdWO4 | BGO | LYSO |
| afterglow | 0.5-5% @6ms | 0.1% @3ms | 0.005% @3ms | <0.1% @6ms |
| Primary Decay Time (ns) | 1000 | 14000 | 300 | 36 |
| Wavelength of Maximum Emission [nm] | 550 | 475 | 480 | 420 |
| Relative Rad Hardness | Medium | High | High | High |
| Relative Light Output [photons/keV] | 54 | 13 | 9 | 32 |
| Hygroscopic | slightly | no | no | no |
| Solubility in H2O, g/100g@25oC | 85.5 | 0.5 | / | / |
| Density, g/cm3 | 4.51 | 8.0 | 7.13 | 7.10 |
低余輝線性 CsI(Tl) 分段陣列：
CsI(Tl) 傳感器陣列制造技術(shù)的進(jìn)展使得后輝光現(xiàn)象得到減少，光輸出得以提高，且后輝光的均勻性也有所改善。單能量、雙能量、固定框架、旋轉(zhuǎn)機(jī)架以及基于 CsI(Tl) 的各種陣列均可應(yīng)用于眾多行業(yè)的高質(zhì)量 X 射線成像應(yīng)用中，包括（安全行李掃描、貨物掃描、醫(yī)療、非破壞性工業(yè)檢測(cè)等）。
| Array Performance (Typical) | |
| Light output uniformity | ±10% within an array (requires matchingphotodiode) |
| Light output array to array | ±10% |
| Afterglow | 5000ppm @100ms (initial test) ≤2500ppm (after burn-in) |
| Afterglow uniformity | ±10% within an array |
| Array Design Capabilities | |
| Number of channels (typical) | 8-64 |
| Minimum pitch | 0.5mm |
| X-Ray thickness | 50mm Max |
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關(guān)于昊量光電：
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