| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
光彈調(diào)制器
美國Hinds Instruments, Inc公司是世界有名的（同時也是世界*的一家）光彈調(diào)制器（photoelastic modulators）生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變，調(diào)制速率為20~100kHz。（PEM）的作用就像一個“動態(tài)的波片"，可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個周期變化的折射率差，從而控制透過光束的偏振進行周期性的變化。具體而言即，（photoelastic modulators）通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進行變化，同時（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進行切換。
對比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括：
? 非常大通光孔徑（15到30mm，標準），同時保持很高的調(diào)制器頻率
? 超大接受角度（市場角）范圍（+/- 20°）
? 波長覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲
美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學和光學頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學系統(tǒng)單元的尺寸，同樣也使得光學頭與磁場或真空兼容（當這些有需要的時候）。
需要進一步了解關(guān)于原理
應(yīng)用舉例：
在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf
Hinds Instruments主要分為兩個系列：
Series I 系列使用矩形光學原件，波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。
Series II系列使用對稱或者八角形的光學原件，波長覆蓋可見和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域。特殊的型號可用于紫外。
Hinds Instruments公司的光學頭使用不同的光學材料，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
TABLE 1 | ||
SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相對于Series II八角形光學元件，Series I矩形的光學元件在相同厚度的情況下，相位延遲量更少。在紅外波段，這是一個缺點，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，這則變成為了一個很大優(yōu)點。
八角形（Series II）光學元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會造成一些問題。
可選選項（規(guī)格和價格會因為客戶需要而改變，詳情詢問昊量光電的工程師）
? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光學調(diào)制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。
? 請昊量光電關(guān)于頻譜范圍和透射率要求
? 無干涉選項，Model NIO。這一項用于偏轉(zhuǎn)光束路徑，因此消除了調(diào)制器干涉
? 特殊頻率，Model SFO。標準的調(diào)制頭配以特殊頻率
? 特殊光學頭/電學頭電纜，Model SLHH
? 特殊調(diào)制頭附件，Model SHE。光學頭可以根據(jù)客戶需要提供特殊形狀
? 真空操作。PEM可用于真空環(huán)境，詳情請詢問Hinds
磁場兼容選項，Model MFC。光學頭不含任何磁鐵材料，用于強磁場中
基本指標
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm |
II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
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